Оперативную память скрестили с жестким диском
14 декабря 2011 г.
Корпорация IBM на днях представила первый чип, хранение информации в котором основано на новейшей технологии Racetrack (анг.: беговая память). Новинку отличает полная энергонезависимость, высокая скорость и необычайная плотность сопоставимая с шпиндельными жесткими дисками, кроме того в рабочем режиме Racetrack функционирует при низком энергопотреблении. Стоит отметить, что представленный образец находится в ходе доработки и далек от выхода на коммерческий рынок, так как имеет всего 256 запоминающих ячеек, хотя еще год назад Стюарт Паркин, являющийся руководителем проекта, по разработке Racetrack сообщал о том, что работа близится к финалу и чип выйдет на широкий рынок.
В представленном недавно опытном образце все еще не реализована одна из важнейших задач – хранение одновременно нескольких бит информации в каждом волокне. Вместе с тем, Racetrack является настоящим прорывом, так как является реальным воплощением теории по хранению данных в нано волокнах.
Значение Racetrack заключается в том, что ученым из IBM впервые удалось разместить рабочие нановолокна на стандартном кремниевом чипе. Нановолокна получены в результате размещения железо-никелиевого покрытия в слое кремния, часть которого удалена при помощи метода фотолитографии. Полученные проводники имеют длину 10 микрометров, ширину 140 нанометров и толщину 20 нанометров.
Знакомя общественность с результатами работы своей группы, Стюарт Паркин подчеркнул, что основной упор в их деятельности будет сделан на решение проблемы размещения нескольких бит информации в одном нановолокне. В данный момент волокно хранит не более 1 бита. Надежду на успешное разрешение проблемы ученые возлагают на использование новейших материалов, которые позволят сократить расстояние между стенками магнитных доменов.
Racetrack, несмотря на свои явные преимущества, имеет массу конкурентов, так еще один проект IBM, реализованный на базе микроэлектромеханических MEMS элементов не уступает новинке ни в одном из технических параметров, кроме того, стоит здесь же вспомнить память на фазовых переходах, трехуровневые флэш-ячейки и магниторезистивную память с произвольным доступом.