Прорыв в технологиях оперативной памяти
28 декабря 2011 г.
Образцы новейшей памяти стандарта Static Random Access Memory (SRAM), были на днях продемонстрированы широкому кругу специалистов. Новинка является плодом совместной деятельности компаний SuVolta и Fujitsu. Разработчики отмечают, что в своей работе опирались на технологии CMOS (Комплементарная Металл-Оксид-Полупроводниковая логика), получившийся в результате серьезных доработок и изменений образец получил название PowerShrink. Главной особенностью PowerShrink стало значительное снижение энергопотребления, необходимого для поддержания состояния элементов. Как сообщил руководитель группы разработчиков, снижение энергопотребления памяти удалось достичь путем уменьшения параметров элементов микросхем. Кроме того, инженеры создали принципиально новую технологию Deeply Depleted Channel, использование которой позволило уменьшить погрешности в напряжении питания для определенных областей схемы. Достигнув контроля над подачей питания в каждый элемент, ученые и снизили напряжение входного питания практически в два раза.
Важным достоинством PowerShrink является ее совместимость с большинством из известных инфраструктур, например с конструкциями System-on-Chip, кроме того, промышленное производство новинки не требует никакого переоборудования. В массовое производство PowerShrink поступит в начале 2012 года.